太陽(yang)能(neng)作(zuo)為一種(zhong)可(ke)再生的(de)(de)清潔(jie)能(neng)源，是(shi)(shi)新能(neng)源研(yan)究和(he)(he)開發利(li)用的(de)(de)重點。利(li)用太陽(yang)光(guang)能(neng)最(zui)直(zhi)接(jie)、最(zui)有效的(de)(de)手段是(shi)(shi)光(guang)伏(fu)電池(chi)(chi)，而光(guang)伏(fu)電池(chi)(chi)產業發展的(de)(de)核心則是(shi)(shi)光(guang)伏(fu)材料， 其類別和(he)(he)質(zhi)(zhi)量直(zhi)接(jie)影(ying)響到光(guang)伏(fu)電池(chi)(chi)的(de)(de)成本和(he)(he)光(guang)電轉換效率， 目前(qian)主要(yao)的(de)(de)光(guang)伏(fu)材料包括晶硅(gui)、 碲化鎘（CdTe）基(ji)系列、 銅銦鎵硒（CIGS）基(ji)系列、異質(zhi)(zhi)結（HJT）等。

單晶(jing)體硅相關材料(liao)電板轉移效應高，技術性也(ye)而言(yan)成孰， 但制(zhi)造費高。

碲化(hua)鎘(ge)（CdTe）是II-VI族氧化(hua)物，屬直接性帶隙(xi)半導(dao)體(ti)器(qi)件資料，其(qi)光(guang)譜分析(xi)儀崩潰條件與早(zao)(zao)上的(de)大壁掛太陽能(neng)板光(guang)譜分析(xi)儀體(ti)力(li)分布區極(ji)為貼(tie)合，光(guang)融合指數(shu)公(gong)式很大的(de)，用其(qi)加工制(zhi)作為透氣膜早(zao)(zao)上的(de)大壁掛太陽能(neng)板電瓶，板厚僅(jin)為1—22um，對裝(zhuang)修(xiu)原(yuan)料的(de)總量小，近期來不復(fu)為光(guang)伏發(fa)電裝(zhuang)修(xiu)原(yuan)料的(de)研究開發(fa)關鍵點。

銅銦鎵硒(xi)（CIGS）屬直接性帶隙半導體相關材料(liao)相關材料(liao)，都具有光吸納(na)因素(su)好、改變利用(yong)率高(gao)、出產料(liao)工費及用(yong)電量低、奶茶原料(liao)能量消耗少等優點(dian)和缺(que)點(dian)。

HJT（Heterojunction，異質結）充電(dian)電(dian)池新(xin)技(ji)能具(ju)備薄膜和珍珠棉(mian)干電(dian)池組和晶硅干電(dian)池組的好處，進行大(da)量生產(chan)后工作(zuo)效率和直接費用降(jiang)底空間(jian)不(bu)大(da)，已成定局擁有下第(di)一(yi)代中低端新(xin)技(ji)能。

先導電科(ke)工作(zuo)可作(zuo)于太陽光能電池組的(de)(de)全品類高(gao)水平量PVD濺射靶材和(he)減壓蒸餾的(de)(de)材料， 各(ge)位的(de)(de)碲(di)化(hua)鎘(ge)(ge)靶材（CdTe）、脫色銦(yin)錫靶材（ITO）、銅(tong)銦(yin)鎵(jia)硒靶材（CIGS）在(zai)世(shi)界(jie)各(ge)國光伏系統相(xiang)關行業含有很高(gao)的(de)(de)有名氣度，一同(tong)也具(ju)備硒化(hua)鎘(ge)(ge)（CdSe）、碲(di)鋅(xin)鎘(ge)(ge)（CdZnTe）、硫化(hua)橡膠鎘(ge)(ge)（CdS）等許多一起靶材和(he)銅(tong)（Cu）、銦(yin)（In）、鎵(jia)（Ga）、硒（Se）和(he)碲(di)（Te）等高(gao)純汽化(hua)用料。

是(shi)集鋼筋取(qu)樣料加工(gong)與(yu)新廠品加工(gong)廠為(wei)一(yi)身(shen)的集合加工(gong)廠商，先(xian)導電科(ke)不(bu)禁為(wei)的客戶可(ke)(ke)以提(ti)供數(shu)據(ju)全型(xing)號新廠品，還可(ke)(ke)以為(wei)在下游加工(gong)廠商可(ke)(ke)以提(ti)供數(shu)據(ju)加工(gong)廢料的回(hui)收利用(yong)的的回(hui)收利用(yong)安(an)全服務和消除實(shi)施方案。