鈍化銦鎵鋅 (IGZO)是新穎展現技術工藝的重要的鈍化物半導體技術資料。在TFT中，可出代Si資料作溝道層資料。其出眾性會讓元件進行更多的辨認率、低好耗電量和低噪音，能夠用于產生新穎高性LCD和OLED展現器。
| 成分附號 | : | IGZO |
| 化學物質 | : | In:Ga:Zn:O=1:1:1:4 (電子層比) 兩種成分表可定制開發 |
| 含量 | : | 4N+ |
| 外形 | : | 立體圖靶；高速旋轉靶 |
| 外貌 | : | 亮暗色 |
| 舉例高密度 | : | ≥6.30g/cm3 |
| 通常面積 | : | 剖面靶: 單面靶材L300-1100mm 旋轉視頻靶: 單節靶材L300-700mm 另一尺碼可自定義 |
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